图片仅供参考,产品以实物为准
| Status | Active |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | - 200 V |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 1.75 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 3 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | I2PAK |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 12 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 上升时间 | 20 ns |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 寿命 | Obsolete |
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